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半导体照明用光刻胶

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产品介绍操作工艺参数注意事项

1.特别说明:

具体型号说明书及相关检测报告请前往下载中心下载。

2.应用领域:

半导体照明领域的具体应用包括：图案化蓝宝石衬底（PSS）制作；LED芯片制作等。

3. 技术参数:

半导体照明用光刻胶主要技术参数：

半导体照明用光刻胶系列主要包括：RD-2000、RD-4000、RD-6000、RD-NL700等系列，不同系列光刻胶的主要技术参数如下：

序号	产品序列	主要参数
1	RD-2000系列	水分：<0.5%；颗粒(0.5um颗粒，个/ml)：<100；痕量金属(K、Na、Fe，ppb）：<300；膜厚：1.0~3.5um；分辨率：0.8um(g-line)
2	RD-4000系列	水分：<0.5%；颗粒(0.5um颗粒，个/ml)：<100；痕量金属(K、Na、Fe，ppb）：<50；膜厚：1.0~4.5um；分辨率：0.4um(i-line曝光)
3	RD-6000系列	水分：<0.5%；颗粒(0.5um颗粒，个/ml)：<100；痕量金属(K、Na、Fe，ppb）：<100；膜厚：3.0~15um；分辨率：0.65um(i-line曝光)
4	RD-NL700系列	水分：<0.5%；颗粒(0.5um颗粒，个/ml)：<100；痕量金属(K、Na、Fe，ppb）：<500；膜厚：1.8~4.5um；倒梯形角度：45~80°；分辨率：1um(g+h+i曝光)

半导体照明用光刻胶主要技术参数：

半导体照明用光刻胶系列主要包括：RD-2000、RD-4000、RD-6000、RD-NL700等系列，不同系列光刻胶的主要技术参数如下：

序号	产品序列	主要参数
1	RD-2000系列	水分：<0.5% 颗粒(0.5um颗粒，个/ml)：<100 痕量金属(K、Na、Fe，ppb）：<300 膜厚：1.0~3.5um 分辨率：0.8um(g-line)
2	RD-4000系列	水分：<0.5% 颗粒(0.5um颗粒，个/ml)：<100 痕量金属(K、Na、Fe，ppb）：<50 膜厚：1.0~4.5um 分辨率：0.4um(i-line曝光)
3	RD-6000系列	水分：<0.5% 颗粒(0.5um颗粒，个/ml)：<100 痕量金属(K、Na、Fe，ppb）：<100 膜厚：3.0~15um 分辨率：0.65um(i-line曝光)
4	RD-NL700系列	水分：<0.5% 颗粒(0.5um颗粒，个/ml)：<100 痕量金属(K、Na、Fe，ppb）：<500 膜厚：1.8~4.5um 倒梯形角度：45~80° 分辨率：1um(g+h+i曝光)

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